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Manufacturer: Infineon Product Category: IGBT Modules RoHS: N Product: IGBT Silicon Modules Configuration: Triple Common Emitter Common Gate Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1600 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.5 V Continuous Collector Current at 25 C: 1800 A Gate-Emitter Leakage Current: 600 nA Pd - Power Dissipation: 11 kW Package/Case: IHM190 Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 125 C Brand: Infineon Technologies Height: 38 mm Length: 190 mm Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V Mounting Style: SMD/SMT Product Type: IGBT Modules Subcategory: IGBTs Technology: Si Width: 140 mm
| Gewicht (kg) | 2.5 |
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