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Infineon-BSM300GB60DLC

BSM300GB60DLC

Marke - Infineon

IGBT-Silizium-Module

Technische Spezifikation:

IGBT 300A 600V DUAL Configuration: Dual Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V Continuous Collector Current at 25 C: 375 A Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA Pd – Power Dissipation: 1.25 kW Minimum Operating Temperature: – 40 C Maximum Operating Temperature: + 125 C Height: 30.5 mm Length: 106.4 mm Width: 61.4 mm Brand: Infineon Technologies Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V Product Type: IGBT Modules Subcategory: IGBTs

Zusätzliche Produktinformation

Gewicht (kg) 0.3

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